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GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247
IGBT 1200V SOT247
- Número da peça do fabricante :GA35XCP12-247
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :GA35XCP12-247-DS
- Ficha de dados :
GA35XCP12-247 Ficha de dados - Descrição : IGBT 1200V SOT247
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 136.512Total : $ 136.51
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 125 + | $ 136.5120 | $ 17064.00 |
| 250 + | $ 72.0480 | $ 18012.00 |
| 375 + | $ 49.5480 | $ 18580.50 |
| 500 + | $ 48.5580 | $ 24279.00 |
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GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:-
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AB
逆回復時間 (trr):36 ns
電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 35A
電流 - コレクタパルス ( Icm):35 A
エネルギーの切り替え:2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
ゲートチャージ:50 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:-
テスト条件:800V, 35A, 22Ohm, 15V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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