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GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N

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GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N especificações técnicas, atributos, parâmetros.

Categoria:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Pacote / Caixa:SOT-227-4, miniBLOC
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Pacote de dispositivo do fornecedor:SOT-227
Dissipação de energia (máx.):523W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Recurso F E T:-
Tensão de dreno para fonte ( Vdss):1700 V
Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:26mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.7V @ 15mA
Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:400 nC @ 15 V
Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:10187 pF @ 1000 V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):15V
Vgs ( Máx.):±15V
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.29.0095
Estado do REACH:REACH is not affected
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R20MT17N fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.

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Avaliações e avaliações
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John D.

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