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  • GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D

    SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :G3R160MT17D
  • Fabricante :GeneSiC Semiconductor
  • Número de peça Dasenic :G3R160MT17D-DS
  • Ficha de dados :pdf download G3R160MT17D Ficha de dados
  • Descrição : SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 9.09Total : $ 9.09
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 5151
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
QuantidadePreço unitárioTotal
1 +$ 9.0900$ 9.09
3 +$ 8.4600$ 25.38
10 +$ 7.8120$ 78.12
30 +$ 7.4790$ 224.37
120 +$ 7.1550$ 858.60

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GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力(最大):175W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:21A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:208mOhm @ 12A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.7V @ 5mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:51 nC @ 15 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1272 pF @ 1000 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
Vgs (最大):±15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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