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GaNPower GPI65008DF56
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- Número da peça do fabricante :GPI65008DF56
- Fabricante :GaNPower
- Número de peça Dasenic :GPI65008DF56-DS
- Ficha de dados : GPI65008DF56 Ficha de dados PDF
- Descrição : GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
- Pacote :-
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GaNPower GPI65008DF56 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Categoria:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Pacote / Caixa:Die
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Pacote de dispositivo do fornecedor:Die
Dissipação de energia (máx.):-
Tipo F E T:N-Channel
Recurso F E T:-
Tensão de dreno para fonte ( Vdss):650 V
Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:8A
Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:-
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:1.4V @ 3.5mA
Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:2.1 nC @ 6 V
Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:63 pF @ 400 V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):6V
Vgs ( Máx.):+7.5V, -12V
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Classificação MSL:Vendor omitted MSL Rating information
Estado do REACH:REACH is not affected
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.29.0095
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GPI65008DF56 fornecido por GaNPower
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Avaliações e avaliações
Great Product
John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
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Sarah M.
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Mike R.
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