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EPC EPC2110ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
- Número da peça do fabricante :EPC2110ENGRT
- Fabricante :EPC
- Número de peça Dasenic :EPC2110ENGRT-DS
- Ficha de dados :
EPC2110ENGRT Ficha de dados - Descrição : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 4.92Total : $ 4.92
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EPC EPC2110ENGRT especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:Die
パワー - 最大:-
サプライヤーデバイスパッケージ:Die
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Source
F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):120V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.4A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 700µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:0.8nC @ 5V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:80pF @ 60V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0040
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EPC EPC2110ENGRT
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。
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