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1 : $278.2000
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GeneSiC Semiconductor MBR600200CT
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
- Número da peça do fabricante :MBR600200CT
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :MBR600200CT-DS
- Ficha de dados :
MBR600200CT Ficha de dados - Descrição : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 278.2Total : $ 278.20
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 654
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 20 + | $ 278.2000 | $ 5564.00 |
| 40 + | $ 265.3600 | $ 10614.40 |
| 80 + | $ 253.6600 | $ 20292.80 |
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GeneSiC Semiconductor MBR600200CT especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ:Twin Tower
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Schottky
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:920 mV @ 300 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:3 mA @ 200 V
ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):200 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):300A
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor MBR600200CT
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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